BAV99S dioda impulsowa podwójna
Symbol Micros:
DIBAV99 s
Obudowa: SOT363
0,15A; 80V; ultraszybka
Parametry
| Obudowa: | SOT363 |
| Prąd przewodzenia: | 150mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 80V |
| Producent: | NXP |
| Montaż: | SMD |
| Typ: | Dioda przełączająca |
Producent: NXP
Symbol producenta: BAV99S RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Stan magazynowy:
10700 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8910 | 0,4230 | 0,2380 | 0,1810 | 0,1620 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BAV99S,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Stan magazynowy:
18000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8910 | 0,4230 | 0,2380 | 0,1810 | 0,1620 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Prąd przewodzenia: | 150mA |
| Napięcie wsteczne maks. [Vrrm]: | 80V |
| Producent: | NXP |
| Montaż: | SMD |
| Typ: | Dioda przełączająca |