FEP30DP dioda prostownicza
Symbol Micros:
DP FEP30DP
Obudowa: TO 3P
30A; 200V; ultra szybka
Parametry
| Obudowa: | TO 3P |
| Prąd przewodzenia: | 30A |
| Napięcie pracy: | 200V |
| Producent: | VISHAY |
| Montaż: | THT |
| Typ: | Dioda prostownicza |
Producent: General Semiconductor
Symbol producenta: FEP30DP-E3/45 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
18 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7600 | 6,1600 | 5,5700 | 5,2600 | 5,1700 |
| Obudowa: | TO 3P |
| Prąd przewodzenia: | 30A |
| Napięcie pracy: | 200V |
| Producent: | VISHAY |
| Montaż: | THT |
| Typ: | Dioda prostownicza |