IS181C

Symbol Micros: OOIS181c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor
Parametry
CTR: 200-400%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V
Producent: Isocom Symbol producenta: IS181C RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 250+ 1130+
cena netto (PLN) 1,3500 0,8850 0,6340 0,5480 0,5190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1130
CTR: 200-400%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 3750V
Napięcie wyjściowe: 80V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta