LTV-814S-TA1

Symbol Micros: OOPC814ltvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
pojedynczy CTR 20-300% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor odpowiednik: PC814S, FOD814AS LTV-814S LTV-814S-TA1 LTV-814S-TA1-A; LTV814S-TA1; LTV814S;
Parametry
CTR: 20-300%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV814S-TA1 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
29428 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2800 0,6200 0,4230 0,3750 0,3660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
CTR: 20-300%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta