LTV817S-A smd

Symbol Micros: OOPC817altvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 160% Vce 35V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD817AS, FOD817ASD, LTV-817S-TA1-A
Parametry
CTR: 160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 0,5kV
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-A RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
5605 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5540 0,4300 0,3970 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
CTR: 160%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 0,5kV
Napięcie wyjściowe: 35V