BSS84
Symbol Micros:
TBSS84 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 357mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: BSS84 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
1290 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4500 | 0,2060 | 0,1120 | 0,0840 | 0,0750 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 357mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |