DMG2302UK Diodes

Symbol Micros: TDMG2302uk
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7; DMG2302UK-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 660mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG2302UK-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5140 0,3100 0,2450 0,2260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,8A
Maksymalna tracona moc: 660mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD