HYG450P06LA1D HUAYI

Symbol Micros: THYG450p06la1d
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 62mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 37,5W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HUAYI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: HUAYI Symbol producenta: HYG450P06LA1D RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
248 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4000 1,0700 0,9530 0,9200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 62mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 37,5W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: HUAYI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD