IKW40N120H3
Symbol Micros:
TIKW40n120h3
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: | 185nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 483W |
Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 6,5V |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon Technologies |
Ładunek bramki: | 185nC |
Maksymalna moc rozpraszana: | 483W |
Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 6,5V |
Obudowa: | TO247 |
Producent: | Infineon Technologies |
Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
Napięcie bramka-emiter: | 20V |