IRF1104

Symbol Micros: TIRF1104
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1104PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,0000 6,5500 5,7100 5,1900 5,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT