IRFTS9342
Symbol Micros:
TIRFTS9342
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | TSOP06 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: TECH PUBLIC
Symbol producenta: TPIRFTS9342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3100 | 0,7010 | 0,5450 | 0,4930 | 0,4770 |
Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | TSOP06 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |