SH8JC5TB1

Symbol Micros: TSH8JC5TB1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: SH8JC5TB1 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 13,6400 11,2800 9,8800 9,2000 8,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD