SIZF300DT

Symbol Micros: TSIZF300dt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PPAIR6(3x3)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; SIZF300DT-T1-GE3
Parametry
Moc strat: 75W
Producent: VISHAY
Obudowa: PowerPAIR3x3-4
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SIZF300DT-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAIR6(3x3) karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,2300 3,4800 2,8800 2,6000 2,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 75W
Producent: VISHAY
Obudowa: PowerPAIR3x3-4
Maksymalny prąd kolektora: 75A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: N-MOSFET