STP9NK90Z

Symbol Micros: TSTP9NK90Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STP9NK90Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,1600 6,5100 5,5700 5,0000 4,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STP9NK90Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,1600 6,5100 5,5700 5,0000 4,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT