Mikrokontrolery i pamięci » Pamięci SRAM.

Kariera Polecamy Regulamin sprzedaży Kontakt O firmie Aktualności Katalog

Zamów katalog

» Zobacz więcej

Przedstawicielstwa

» Zobacz więcej

Kontakt

Micros sp.j.
W.Kędra i J.Lic

ul. E.Godlewskiego 38
30-198 Kraków

tel.: +48 12 636 95 66
fax.: +48 12 636 93 99
biuro@micros.com.pl

Regulamin sprzedaży

Strony tematyczne

Przekaźniki

Oświetlenie LED

Multimetry

biuro@micros.com.pl

+48 12 636 95 66

Mikrokontrolery i pamięci » Pamięci SRAM.

Szybkie asynchroniczne pamięci statyczne RAM, firmy

Symbol	Obudowa	Organizacja	Napięcie zasilania
K6R4008C1D-KI10	SOJ36	512k x 8bit	4.5 ÷ 5.5V
K6R4008C1D-UI10	TSOP2-44	512k x 8bit	4.5 ÷ 5.5V
K6R4008V1D-KI10	SOJ36	512k x 8bit	3.0 ÷ 3.6V
K6R4008V1D-UI10	TSOP2-44	512k x 8bit	3.0 ÷ 3.6V
K6R4016C1D-KI10	SOJ44	256k x 16bit	4.5 ÷ 5.5V
K6R4016C1D-UI10	TSOP2-44	256k x 16bit	4.5 ÷ 5.5V
K6R4016V1D-KI10	SOJ44	256k x 16bit	3.0 ÷ 3.6V
K6R4016V1D-UI10	TSOP2-44	256k x 16bit	3.0 ÷ 3.6V

Oferowane pamięci SRAM wykonane są w technologii CMOS. Ich pojemność wynosi 4Mbit (512kB). Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 8- lub 16-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu). Pamięć o organizacji 16-bitowej zawiera dodatkowo sygnały wyboru młodszego/starszego bajtu danych.
Pamięci te znajdują zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.

Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 8/16-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3/5V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
- dostępne w obudowach: SOJ36, SOJ44, TSOP2-44, wszystkie o szerekości 400mils.