Micros sp.j.
W.Kędra i J.Lic
ul. E.Godlewskiego 38
30-198 Kraków
tel.: +48 12 636 95 66
fax.: +48 12 636 93 99
e-mail: biuro@micros.com.pl
| TRANZYSTORY IGBT FIRM |  |
oraz  |
WSZYSTKIE TRANZYSTORY IGBT SPEŁNIAJĄ NORMY ROHS.
|
TRANZYSTORY IGBT
|
 |
 |
Tranzystory IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) to tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, sterowane napięciem MOSFET.
Tranzystory te charakteryzuje przede wszystkim: wysoka impedancja wejściowa i niski VCE(sat) właściwy dla tranzystora bipolarnego.
Tranzystory IGBT stosuje się między innymi w układach z obciążeniem indukcyjnym, w różnego typu zasilaczach bezprzewodowych. Z uwagi na możliwość regulacji szerokości impulsów prądu tranzystory te stosuje się również w wszelkiego rodzaju układach sterujących z silnikami dużej mocy oraz w różnego rodzaju przetwornicach prądowych.
Istotnymi zaletami tranzystorów IGBT są:
- wysoka impedancja wejściowa,
- małe straty podczas przełączania,
- częstotliwość przełączania powyżej 20 kHz,
- wysoka niezawodność.
Obudowa rysunek techniczny: Obudowa rysunek techniczny: Obudowa rysunek techniczny:
