Micros sp.j.
W.Kędra i J.Lic
ul. E.Godlewskiego 38
30-198 Kraków
tel.: +48 12 636 95 66
fax.: +48 12 636 93 99
biuro@micros.com.pl
|  | biuro@micros.com.pl |  | +48 12 636 95 66 |
|
Pamięci ferroelektryczne FRAM firmy RAMTRON (Ferroelectric Random Access Memory) |
|
|
Wszystkie układy spełniają normę RoHS
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4÷256Kbit;
- organizacja: 8-bitowa;
- dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI;
- częstotliwość zegara interfejsu: 1/20MHz;
- okres niezmienności danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat;
- brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes);
- pobór prądu:
w stanie aktywnym: max. 200µA;
w trybie standby: max. 10µA;
- kompatybilność z pamięciami EEPROM;
- napięcie zasilania: 3/5V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
- dostępne w obudowie: SOP08.
|
Symbol |
Interfejs |
Pojemność [Kbit] |
Organizacja |
Częstotliwość zegara intrefejsu [MHz] |
Napięcie zasilania [V] |
|
2-Wire |
4 |
512 x 8-bit |
1 |
4.5÷5.5 |
|
|
2-Wire |
4 |
512 x 8-bit |
1 |
2.7÷3.6 |
|
|
2-Wire |
16 |
2K x 8-bit |
1 |
4.5÷5.5 |
|
|
2-Wire |
16 |
2K x 8-bit |
1 |
2.7÷3.6 |
|
|
2-Wire |
64 |
8K x 8-bit |
1 |
4.5÷5.5 |
|
|
2-Wire |
64 |
8K x 8-bit |
1 |
2.7÷3.6 |
|
|
2-Wire |
256 |
32K x 8-bit |
1 |
4.5÷5.5 |
|
|
SPI |
4 |
512 x 8-bit |
20 |
4.5÷5.5 |
|
|
SPI |
16 |
2K x 8-bit |
20 |
4.5÷5.5 |
|
|
SPI |
64 |
8K x 8-bit |
20 |
2.7÷3.6 |
|
|
SPI |
256 |
32K x 8-bit |
20 |
4.5÷5.5 |
|
|
SPI |
256 |
32K x 8-bit |
20 |
2.7÷3.6 |
Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (związek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwość zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji cząstek. Nieobecność pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadające stanom logicznym „0” i „1”.
Pamięci FRAM nazywane są nieulotnymi pamięciami RAM. Łączą w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzują się możliwością szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczoną ilością cykli zapis/kasowanie a jednocześnie nieulotnością danych - wyłączenie napięć zasilających nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odświeżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane są tam, gdzie wymagana jest duża szybkość pracy, niski pobór prądu oraz bezpieczeństwo danych.
M VA6510 - Pirometr z laserowym celownikiem;
--------------
M MS6500 - Miernik temperatury;
--------------
M VA6520 - Pirometr z laserowym celownikiem;
--------------
M VA6512 - Pirometr 2 w 1 VA6512 z laserowym celownikiem i dotykową sondą;
--------------
M VA8090 - Pirometr z termometrem i wskaźnikiem laserowym;