IRLR024PBF Vishay

Symbol Micros: TIRLR024

Gehäuse:

N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 140 mOhm; 14A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR024PBF; IRLR024TRPBF; IRLR024TRLPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLR024PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2433

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5898	0,3736	0,2937	0,2679	0,2561

Anzahl Stück	2+	5+	20+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,4653	0,3337	0,2373	0,2075	0,1856