4N35M ONS(FAI)
Symbol Micros:
OO4N35m
Obudowa: PDIP06
Transoptor; THT; Kanały: 1; Wyj: tranzystorowe; Uizol: 7,5kV; DIP6
Parametry
| CTR: | 100,00% |
| Obudowa: | PDIP06 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 4170V |
| Napięcie wyjściowe: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: 4N35M RoHS
Obudowa dokładna: PDIP06
Stan magazynowy:
55 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 | 1,1400 | 0,8190 | 0,7160 | 0,6710 |
| CTR: | 100,00% |
| Obudowa: | PDIP06 |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 4170V |
| Napięcie wyjściowe: | 30V |
Odpowiedniki
4N35
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 5,3kV Transistor with Base odpowiednik: LTV4N35 EL4N35 4N35M; 4N35-EVE;
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL4N35 RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP06
Stan magazynowy
67 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
EVERLIGHT
Symbol producenta:
EL4N35 RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP06
Stan magazynowy
1950 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
LTV4N35
pojedynczy CTR 100% Vce 70V Uiso 3,55kV Transistor with Base odpowiednik: 4N35; 4N35-LIT;
Producent:
LITE-ON
Symbol producenta:
LTV-4N35 RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP06
Stan magazynowy
430 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
4N35-000E
pojedynczy CTR 100% Vce 30V Uiso 3,55kV Transistor with Base
Producent:
AVAGO
Symbol producenta:
4N35-000E RoHS
Obudowa dokładna:
DIP06
Stan magazynowy
565 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
4N35 UMW
pojedynczy CTR 100% Vce 80V Uiso 5kV Transistor with Base Odpowiednik: 4N35M; 4N35-LIT; 4N35-EVE; 4N35-ISO; 4N35-VIS; 4N35(SHORT,F); 4N35-000E;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
4N35 RoHS
Obudowa dokładna:
PDIP06
Stan magazynowy
200 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)