BCP5616TA DIODES/ZETEX

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5616TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
330 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8910 0,4460 0,2660 0,2200 0,1980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta