BC856B
Symbol Micros:
TBC856b c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B-DIO;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Moc strat: | 200mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |