BC856B

Symbol Micros: TBC856b c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856B-DIO;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: HOTTECH Symbol producenta: BC856B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
480 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2860 0,1100 0,0537 0,0427 0,0408
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP