2N7002PW NXP

Symbol Micros: T2N7002pw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 310mA
Maksymalna tracona moc: 310mW
Obudowa: SOT323
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: NXP Symbol producenta: 2N7002PW,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8200 0,3890 0,2190 0,1660 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 310mA
Maksymalna tracona moc: 310mW
Obudowa: SOT323
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD