PUMD13,115 NXP

Symbol Micros: TPUMD13
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor NPN/PNP; 100; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Producent: NXP
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: NXP Symbol producenta: PUMD13,115 RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,6330 0,2990 0,1680 0,1270 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Częstotliwość graniczna: 230MHz
Producent: NXP
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP