IKW30N60H3

Symbol Micros: TIKW30n60h3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW30N60H3FKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 165nC
Maksymalna moc rozpraszana: 187W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW30N60H3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 12,3800 10,2300 8,9500 8,3300 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ładunek bramki: 165nC
Maksymalna moc rozpraszana: 187W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V