IKW75N60T

Symbol Micros: TIKW75n60t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Odpwowiednik: IKW75N60TFKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 470nC
Maksymalna moc rozpraszana: 428W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 225A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW75N60TFKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
31 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
cena netto (PLN) 33,0600 26,5900 23,5300 22,9200 22,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ładunek bramki: 470nC
Maksymalna moc rozpraszana: 428W
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 225A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V