FQB27P06TM

Symbol Micros: TFQB27p06tm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 27A
Maksymalna tracona moc: 120W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 27A
Maksymalna tracona moc: 120W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD