FMMT591TA

Symbol Micros: TFMMT591
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 500mW; 60V; 1A; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT591TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
41 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2000 0,7690 0,5390 0,4680 0,4380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 500mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP