2N7002 LGE

Symbol Micros: T2N7002 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002-LGE
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: LGE Symbol producenta: 2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3500 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD