NTR4501NT1G

Symbol Micros: TNTR4501n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: NTR4501NT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,7180 0,5030 0,4370 0,4090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 105mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD