IPD040N03LG Infineon

Symbol Micros: TIPD040n03lg
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,9mOhm; 90A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD040N03LGATMA1; Odpowiednik: IPD040N03LGATMA1; IPD040N03LGBTMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 5,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD