IPB042N10N3G Infineon

Symbol Micros: TIPB042n10n3g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263/3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,4mOhm; 137A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 137A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO263/3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 7,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 137A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO263/3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD