EMD3T2R
Symbol Micros:
TEMD3
Obudowa: SOT-666
Tranzystor NPN/PNP; 30; 150mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 150mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Producent: | ROHM |
| Obudowa: | SOT666 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Moc strat: | 150mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Producent: | ROHM |
| Obudowa: | SOT666 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |