TPH4R606NH,L1Q Toshiba
Symbol Micros:
TTPH4r606nh
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 32A; 63W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 32A |
| Maksymalna tracona moc: | 63W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 32A |
| Maksymalna tracona moc: | 63W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |