BUK7M12-60EX

Symbol Micros: TBUK7m12-60ex
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 27mOhm
Maksymalny prąd drenu: 53A
Maksymalna tracona moc: 75W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: NXP Symbol producenta: BUK7M12-60EX RoHS Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0000 6,3100 5,4600 5,1100 5,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Rezystancja otwartego kanału: 27mOhm
Maksymalny prąd drenu: 53A
Maksymalna tracona moc: 75W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD