IRF1010Z
Symbol Micros:
TIRF1010z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 94A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010ZPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7500 | 5,1500 | 4,2600 | 3,7300 | 3,5500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 94A |
| Maksymalna tracona moc: | 140W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |