FOD814AS
Symbol Micros:
OOPC814as FAI
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy CTR 50-150% Vce 70V Uiso 5,0kV NPN Phototransistor FOD814ASD
Parametry
| CTR: | 50-150% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD814ASD RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Stan magazynowy:
3 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 15+ | 63+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9700 | 2,9200 | 2,2400 | 2,0000 | 1,8900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FOD814ASD RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04smd
Stan magazynowy:
87 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 97+ | 485+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9700 | 2,6400 | 2,1800 | 1,9700 | 1,8900 |
| CTR: | 50-150% |
| Obudowa: | PDIP04smd |
| Typ wyjścia: | NPN Phototransistor |
| Napięcie izolacji: | 5000V |
| Napięcie wyjściowe: | 70V |