TSM3401CX RFG

Symbol Micros: TTSM3401cx
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-3
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: TAI-SEM Symbol producenta: TSM3401CX RFG RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7290 0,5730 0,5310 0,5090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-3
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD