TSM1NB60CP ROG

Symbol Micros: TTSM1nb60cp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 10Ohm; 1A; 39W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: DPAK
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TAI-SEM Symbol producenta: TSM1NB60CP RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0400 1,1300 0,8930 0,8420 0,8150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 39W
Obudowa: DPAK
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD