TSM2N60SCW RPG
Symbol Micros:
TTSM2n60scw
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 5Ohm; 600mA; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 600mA |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 600mA |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |