MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD45H11T4G;
Parametry
Moc strat: 1,75W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: DPAK
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJD45H11T4G RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2712 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8800 1,8200 1,4400 1,3100 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Moc strat: 1,75W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: DPAK
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP