PMV32UP
Symbol Micros:
TPMV32up
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 930mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV32UP.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 73mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 930mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 73mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 930mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |