AOT10N65
Symbol Micros:
TAOT10n65
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOT10N65 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1800 | 4,7100 | 3,9000 | 3,4200 | 3,2500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 250W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ALPHA&OMEGA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |