AOT430

Symbol Micros: TAOT430
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 268W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOT430 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,3000 4,0500 3,3500 2,9400 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 268W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT