AOTF10N60

Symbol Micros: TAOTF10n60
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOTF10N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso  
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 7,0100 4,9100 4,1700 3,8200 3,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT