AOTF4N60
Symbol Micros:
TAOTF4n60
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 35W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ALPHA&OMEGA
Symbol producenta: AOTF4N60 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,6800 | 2,7000 | 2,1600 | 1,8600 | 1,7500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 4A |
Maksymalna tracona moc: | 35W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | ALPHA&OMEGA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |