AOU2N60

Symbol Micros: TAOU2n60
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 56,8W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 80+ 400+
cena netto (PLN) 2,3800 1,7200 1,2400 1,0400 0,9530
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
80
Producent: ALPHA&OMEGA Symbol producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3800 1,7200 1,2400 1,0200 0,9530
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 56,8W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: THT