STD3NK60Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK60Z-1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 3,6Ohm; 2,4A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,4A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: IPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD3NK60Z-1 RoHS Obudowa dokładna: IPAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,2400 1,3600 1,0100 0,9270 0,8950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: ST Symbol producenta: STD3NK60Z-1 RoHS Obudowa dokładna: IPAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,2400 1,3400 1,1200 0,9610 0,8950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 3,6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,4A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: IPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT