MMBT3906WT1G

Symbol Micros: TMMBT3906wt1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-3
Tranzystor PNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3906WT1G RoHS Obudowa dokładna: SC70-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3570 0,1410 0,0821 0,0601 0,0549
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP