MMBT3906WT1G
Symbol Micros:
TMMBT3906wt1g
Obudowa: SC70-3
Tranzystor PNP; 300; 150mW; 40V; 200mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 150mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SC70-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Moc strat: | 150mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SC70-3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |