MMBT2369LT1G
Symbol Micros:
TMMBT2369
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 120; 300mW; 15V; 200mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 15V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |