BC817-25 DIOTEC
Symbol Micros:
TBC81725 DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 400; 310mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 310mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 310mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BC817-25 smd NXP
Tranzystor NPN; 400; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25,215-RP100 Automotive; BC817-25.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
23950 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 SHIKUES
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 SLKOR
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
5380 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 OTOMO
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
OTOMO
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2500 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 GALAXY
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 HXY MOSFET
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 UMW
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 MLCCBASE
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
MLCCBASE
Symbol producenta:
MSBC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)
BC817-25 JSMICRO
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235; BC817-25LT1G; BC817-25LT3G; BC817-25 RFG; BC817-25-7-F; BC817-25-TP;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
Sposób pakowania:
Ilość (wielokrotność 1)